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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR211D |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 443K |
| 代理商： | UNR211D |
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UNR211x Series
2
SJH00006CED
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
50
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
I
EBO
Emitter-base
UNR2110/2115/2116/2117
mA
cutoff current UNR2113
(Collector open)
UNR2112/2114/211D/
211E/211M/211N/211T
UNR211Z
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
UNR2111
UNR211F/211H
UNR2119
UNR2118/211L/211V
Forward current
UNR211V
h
FE
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
6
20
transfer ratio
UNR2118/211L
20
UNR2119/211D/211F/211H
30
UNR2111
35
UNUNR2112/211E
60
UNR211Z
60
200
UNR2113/2114/211M
80
UNR211N/211T
80
400
UNR2110
*
/2115
*
/2116
*
/2117
*
160
460
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
1.5 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V, R
L
=
1 k
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
0.25
V
UNR211V
Output voltage high-level
V
OH
4.9
V
Output voltage low-level
V
OL
0.2
V
UNR2113
UNR211D
UNR211E
Transition frequency
f
T
80
MHz
UNR2114/2119/211E
211F/211H
150
Input resistance
UNR2118
R
1
30%
0.51
+
30%
k
UNR2119
1.0
UNR211H/211M/211V
2.2
UNR2116/211F/211L/211N/211Z
4.7
UNR2111/2114/2115
10
UNR2112/2117/211T
22
UNR2110/2113/211D/211E
47
Rank
Q
R
S
No-rank
h
FE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
160 to 460
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR211E | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR211F | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR211H | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR2121 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR2123 | Silicon PNP epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR211D(UN211D) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR211D00L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 30 HFE MINI 3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242 |
| UNR211E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR211E(UN211E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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