參數(shù)資料
型號： UNR2222
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Flash Memory IC; Access Time, Tacc:45ns; Package/Case:32-TSOP; Memory Configuration:128K x 8; Memory Size:1Mbit; Supply Voltage Max:5.5V; Mounting Type:Surface Mount
中文描述： 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 152K
代理商： UNR2222
UNR222x Series
3
SJH00012CED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR2222
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
0.1
24
20
16
15
8
4
1
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1
10
10
2
10
3
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
Input voltage V
IN
(V)
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
0
12
2
10
4
8
6
300
250
200
150
100
50
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
50
100
150
200
10
100
1
000
V
CE
= 10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
0.1
12
10
8
6
4
2
1
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1
10
10
2
10
3
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
Input voltage V
IN
(V)
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR2223 Flash Memory IC; Access Time, Tacc:120ns; Package/Case:32-TSOP; Memory Configuration:128K x 8; Memory Size:1Mbit; Supply Voltage Max:5.5V; Mounting Type:Surface Mount
UNR2224 Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Configuration:128K x 8; Memory Size:1Mbit; Package/Case:32-PLCC; Supply Voltage Max:5.5V; Access Time, Tacc:120ns; Mounting Type:Surface Mount RoHS Compliant: Yes
UNR2226 Flash Memory IC; Memory Configuration:128K x 8; Memory Size:1Mbit; Package/Case:32-DIP; Supply Voltage Max:5.5V; Access Time, Tacc:120ns; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
UN2225 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4211 Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:1Mbit; Package/Case:32-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:45ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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