參數(shù)資料
型號(hào)： UNR4211
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:1Mbit; Package/Case:32-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:45ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, NS-B1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大小： 334K
代理商： UNR4211
10
UNR421x Series
SJH00020BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR421D
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR421E
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
12
2
10
4
8
6
0
30
25
20
15
10
5
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.50.4 0.3 mA
0.0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
0
12
2
10
4
8
6
0
60
50
40
30
20
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
= 1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.50.4 0.3 mA
0.6 mA
0.7 mA
00.9 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
40
80
120
160
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR4212 Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Configuration:128K x 8; Memory Size:1Mbit; Package/Case:32-PLCC; Supply Voltage Max:5.25V; Access Time, Tacc:45ns; Mounting Type:Surface Mount RoHS Compliant: Yes
UNR4213 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4214 Flash Memory IC; Access Time, Tacc:45ns; Package/Case:32-DIP; Memory Configuration:128K x 8; Memory Size:1Mbit; Supply Voltage Max:5.25V; Mounting Type:Through Hole
UNR4215 Flash Memory IC; Supply Voltage Max:5.25V
UNR4216 Flash Memory IC; Access Time, Tacc:55ns; Package/Case:32-TSOP; Memory Configuration:128K x 8; Memory Size:1Mbit; Supply Voltage Max:5.5V; Mounting Type:Surface Mount
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR4211(UN4211) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR421100A 功能描述:TRANS NPN W/RES 35 HFE NS-B1 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR4212 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4212(UN4212) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*