參數(shù)資料
型號: UNR421K
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Configuration:128K x 8; Memory Size:1Mbit; Package/Case:32-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5.5V; Access Time, Tacc:70ns; Mounting Type:Surface Mount RoHS Compliant: Yes
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, NS-B1, 3 PIN
文件頁數(shù): 13/14頁
文件大?。?/td> 334K
代理商: UNR421K
13
UNR421x Series
SJH00020BED
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR421L Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:1Mbit; Package/Case:32-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:70ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
UNR421X Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4221 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4222 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4223 HEADER, 14 POS, 0.100C, LA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR421K(UN421K) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR421K00A 功能描述:TRANS NPN W/RES 20 HFE NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR421L 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR421L(UN421L) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor