參數(shù)資料
型號(hào)： UNR421L
廠(chǎng)商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:1Mbit; Package/Case:32-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:70ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, NS-B1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/14頁(yè)
文件大?。?/td> 334K
代理商： UNR421L
12
UNR421x Series
SJH00020BED
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR421K
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR421L
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
= 1.2 mA
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.8 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR421X Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4221 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4222 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4223 HEADER, 14 POS, 0.100C, LA
UNR4224 Silicon NPN epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR421L(UN421L) 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR421L00A 功能描述:TRANS NPN W/RES 20 HFE NS-B1 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR421X 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR421XSERIES(UN421XSERIES) 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:UNR421X Series (UN421X Series) - NPN Transistors with built-in Resistor
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