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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR421X |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 中文描述： | 硅型瑞展 |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | UNR421X |
10
UNR421x Series
SJH00020BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR421D
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR421E
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
12
2
10
4
8
6
0
30
25
20
15
10
5
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.50.4 0.3 mA
0.0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
0
12
2
10
4
8
6
0
60
50
40
30
20
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
= 1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.50.4 0.3 mA
0.6 mA
0.7 mA
00.9 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
40
80
120
160
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR4221 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR4222 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR4223 | HEADER, 14 POS, 0.100C, LA |
| UNR4224 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR511E | Silicon PNP epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UNR4221(UN4221) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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