參數(shù)資料
型號: UNR4221
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述: 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, NS-B1, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 151K
代理商: UNR4221
UNR4221/4222/4223/4224
3
SJH00021BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR4222
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
10
1
24
20
16
15
8
4
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1
10
10
2
10
3
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
Input voltage V
IN
(V)
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
0
12
2
10
4
8
6
300
250
200
150
100
50
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
1
10
1
1
10
10
2
10
10
2
10
3
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
50
100
150
200
10
10
2
10
3
V
CE
= 10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1
10
10
2
10
3
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
Input voltage V
IN
(V)
0
10
1
12
10
8
6
4
2
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR4222 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR4223 HEADER, 14 POS, 0.100C, LA
UNR4224 Silicon NPN epitaxial planar type
UNR511E Silicon PNP epitaxial planar type
UNR5110 Silicon PNP epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR4221(UN4221) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR4221/4222/4223/4224(UN4221/4222/4223/4224) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UNR4221/4222/4223/4224 (UN4221/4222/4223/4224) - NPN Transistors with built-in Resistor
UNR422100A 功能描述:TRANS NPN W/RES 40 HFE NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR4222 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type