參數(shù)資料
型號： UNR511N
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/17頁
文件大小： 444K
代理商： UNR511N
2
UNR511x Series
SJH00022BED
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
50
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
I
EBO
Emitter-base
UNR5110/5115/5116/5117
mA
cutoff current UNR5113
(Collector open)
UNR5112/5114/511D/
511E/511M/511N/511T
UNR511Z
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
UNR5111
UNR511F/511H
UNR5119
UNR5118/511L/511V
Forward current
UNR511V
h
FE
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
6
20
transfer ratio
UNR5118/511L
20
UNR5119/511D/511F/511H
30
UNR5111
35
UNR5112/511E
60
UNR511Z
60
200
UNR5113/5114/511M
80
UNR511N/511T
80
400
UNR5110
*
/5115
*
/5116
*
/5117
*
160
460
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
1.5 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V, R
L
=
1 k
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
0.25
V
UNR511V
Output voltage high-level
V
OH
4.9
V
Output voltage low-level
V
OL
0.2
V
UNR5113
UNR511D
UNR511E
Transition frequency
f
T
80
MHz
UNR5116
150
Input
UNR5118
R
1
30%
0.51
+
30%
k
resistance
UNR5119
1.0
UNR511H/511M/511V
2.2
UNR5116/511F/511L
511N/511Z
4.7
UNR5111/5114/5115
10
UNR5112/5117/511T
22
UNR5110/5113/511D/511E
47
Resistance
UNR511M
R
1
/R
2
0.047
ratio
UNR511N
0.1
UNR5118/5119
0.08
0.10
0.12
UNR511Z
0.21
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PDF描述
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UNR511Z Silicon PNP epitaxial planar type
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UNR511T 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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