參數(shù)資料
型號： UNR5225
英文描述： TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SC-70
中文描述： 晶體管| 20V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|的SC - 70
文件頁數(shù)： 3/18頁
文件大?。?/td> 285K
代理商： UNR5225
11
Transistors with built-in Resistor
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
Characteristics charts of UNR521D
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
Characteristics charts of UNR521E
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
012
210
48
6
0
30
25
20
15
10
5
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
40
80
120
160
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
1
3
1.5
10
30
100
300
1000
3000
10000
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO=5V
Ta=25C
012
210
48
6
0
60
50
40
30
20
10
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
40
80
120
160
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO=0.2V
Ta=25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR5226 Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR6119 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
UNR6119(UN6119) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR611D TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
UNR611D(UN611D) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR5226 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR522600L 功能描述:TRANS NPN W/RES 100 HFE SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR5227 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR5274 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR52A0G0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*