參數(shù)資料
型號： UNR6119
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 71
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： UNR6119
2
Transistors with built-in Resistor
I Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = –50V, IE = 0
– 0.1
A
ICEO
VCE = –50V, IB = 0
– 0.5
A
UNR6111
– 0.5
UNR6112/6114/611E/611D
– 0.2
UNR6113
– 0.1
UNR6115/6116/6117/6110
IEBO
VEB = –6V, IC = 0
– 0.01
mA
UNR611F/611H
–1.0
UNR6119
–1.5
UNR6118/611L
–2.0
Collector to base voltage
VCBO
IC = –10
A, I
E = 0
–50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = –2mA, IB = 0
–50
V
UNR6111
35
UNR6112/611E
60
UNR6113/6114
hFE
VCE = –10V, IC = –5mA
80
UNR6115*/6116*/6117*/6110*
160
460
UNR611F/611D/6119/611H
30
UNR6118/611L
20
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = –10mA, IB = – 0.3mA
– 0.25
V
Output voltage high level
VOH
VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1k
–4.9
V
Output voltage low level
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1k
– 0.2
UNR6113
VOL
VCC = –5V, VB = –3.5V, RL = 1k
– 0.2
V
UNR611D
VCC = –5V, VB = –10V, RL = 1k
– 0.2
UNR611E
VCC = –5V, VB = –6V, RL = 1k
– 0.2
Transition frequency
fT
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz
80
MHz
UNR6111/6114/6115
10
UNR6112/6117
22
UNR6113/6110/611D/611E
47
UNR6116/611F/611L
R1
(–30%)
4.7
(+30%)
k
UNR6118
0.51
UNR6119
1
UNR611H
2.2
UNR6111/6112/6113/611L
0.8
1.0
1.2
UNR6114
0.17
0.21
0.25
UNR6118/6119
0.08
0.1
0.12
UNR611D
R1/R2
3.7
4.7
5.7
UNR611E
1.7
2.14
2.6
UNR611F
0.37
0.47
0.57
UNR611H
0.17
0.22
0.27
Emitter
cutoff
current
Forward
current
transfer
ratio
Input
resis-
tance
Resis-
tance
ratio
* hFE rank classification (UNR6115/6116/6117/6110)
Rank
Q
R
S
hFE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
UNR6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
相關PDF資料
PDF描述
UNR6119(UN6119) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR611D TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
UNR611D(UN611D) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR611E TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
UNR611E(UN611E) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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參數(shù)描述
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UNR9110J 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9110J(UN9110J) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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