參數(shù)資料
型號： UNR911CJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 14/19頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR911CJ
14
UNR911xJ Series
SJH00038BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR911HJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
T
a
=
25
°
C
I
B
=
0.5 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.2 mA
0.1 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
1
10
1
1
10
10
2
10
10
2
10
3
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
10
1
240
200
160
120
80
40
1
10
10
2
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
1
6
5
4
3
2
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關PDF資料
PDF描述
UNR9110 Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911N Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9111J Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9112J Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9113J Silicon PNP epitaxial planar type
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參數(shù)描述
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UNR911DJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911DJ(UN911DJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ
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