參數(shù)資料
型號(hào)： UNR911CJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/19頁(yè)
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR911CJ
6
UNR911xJ Series
SJH00038BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR9114J
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
O
O
μ
A
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
(
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR9110 Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911N Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9111J Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9112J Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9113J Silicon PNP epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR911D 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR911DG0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 30HFE SSMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR911DJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911DJ(UN911DJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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