參數(shù)資料
型號: UNR921FJ
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù): 14/19頁
文件大?。?/td> 400K
代理商: UNR921FJ
14
UNR921xJ Series
Transistors with built-in Resistor
SJH00039BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR921KJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
(
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
I
B
=
1.2 mA
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
T
a
=
25
°
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
10
3
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
240
200
160
120
80
40
1
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
10
2
0
6
5
4
3
2
1
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
(
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關PDF資料
PDF描述
UNR921M Silicon NPN epitaxial planer transistor
UNRL110 Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL111 Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL113 Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Supply Voltage Max:5.5V RoHS Compliant: No
UNRL114 Silicon PNP epitaxial planer type
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
UNR921FJ0L 功能描述:TRANS NPN 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR921KG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 20HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921KJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921KJ(UN921KJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor