參數(shù)資料
型號： UNRL114
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ML4-N1, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 126K
代理商： UNRL114
Transistors with built-in Resistor
UNRL110/111/113/114/115
Silicon PNP epitaxial planer type
1
Publication date: July 2001
SJH00044AED
For digital circuit
I
Features
Mold leadless type package, allowing downsizing and thinning of
the equipment and automatic insertion through the tape packing.
The PCB mounting area is 1/10 of that of lead type package (3-pin
MINI-type package).
I
Resistance by Part Number
Marking Symbol
UNRL110
UNRL111
UNRL113
UNRL114
UNRL115
(R
1
)
47 k
10 k
47 k
10 k
10 k
(R
2
)
10 k
47 k
47 k
P
A
B
R
M
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
50
50
100
V
Collector to emitter voltage
V
Collector current
mA
Total power dissipation
*
P
T
T
j
T
stg
150
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
0.01
μ
A
I
CEO
I
EBO
Emitter cutoff
current
UNRL111
mA
UNRL114
UNRL113
UNRL110/115
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
50
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
h
FE
V
Forward current
transfer ratio
UNRL111
35
UNRL113/114
80
UNRL110/115
160
460
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
0.25
V
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note)*: Printed circuit board copper foil for collector portion
area: 20.0 mm
2
or more, thickness: 1.6 mm
1
2
3
4
1.00
±0.05
0
±
0
0.60
±0.05
0.020
±0.010
0.60
2
1
4
3
0
0
±
0
±
0.30
±0.03
0.05
±
0.03
1
R
2
2
3
4
R
1
Internal Connection
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collector
4: Collector
ML4-N1 Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNRL115 Silicon PNP epitaxial planer type
UP0411M Silicon PNP epitaxial planar type
UP04312 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
UP04315 Silicon NPN epitaxial planar type Silicon PNP epitaxial planar type
UPA1428 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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UNRL11500A 功能描述:TRANS PNP W/RES 160 HFE LEADLESS RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNRL210 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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