參數(shù)資料
型號： UNR921M
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SS-MINI PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大小： 400K
代理商： UNR921M
16
UNR921xJ Series
Transistors with built-in Resistor
SJH00039BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR921NJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
10
1
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
(
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
12
2
10
4
8
6
0
40
120
80
160
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.5 mA
T
a
=
25
°
C
0.3 mA
0.1 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
1
10
1
10
10
2
10
3
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
480
400
320
240
160
80
1
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
10
2
0
6
5
4
3
2
1
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
(
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.2
1.0
0.6
Input voltage V
IN
(V)
0.8
1.4
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNRL110 Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL111 Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL113 Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Supply Voltage Max:5.5V RoHS Compliant: No
UNRL114 Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL115 Silicon PNP epitaxial planer type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR921MG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921MJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921MJ(UN921MJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR921MJ0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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