參數(shù)資料
型號(hào)： UP04312
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F1, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： UP04312
Composite Transistors
UP04312
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: June 2003
SJJ00254CED
For switching/digital circuits
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
UNR2212
+
UNR2112
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 7T
Internal Connection
Unit: mm
(0.30)
0.10
±
0.02
6
5
4
1
2
3
5
5
0.20
+0.05
1
±
0
0
±
0
0
0
(
1.60
±
0.05
Display at No.1 lead
1
±
0
(
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
0.5
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE
0.2
mA
Forward current transfer ratio
60
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.25
V
Output voltage high level
V
OH
V
OL
4.9
V
Output voltage low level
0.2
V
Input resistance
R
1
30%
22
+
30%
k
Resistance ratio
R
1
/ R
2
f
T
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
150
MHz
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr1
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SSMini6-F1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
50
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
mA
Overall
Total power dissipation
P
T
125
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UP04315 Silicon NPN epitaxial planar type Silicon PNP epitaxial planar type
UPA1428 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
UPA1428A NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
UPA1428AH NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
UPA1434 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UP0431200L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04312G0L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04313 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
UP0431300L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP SSMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04314 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) / Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
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