參數(shù)資料
型號(hào)： UPA2717GR
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： 開關(guān)的P -溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 144K
代理商： UPA2717GR
Data Sheet G16950EJ1V0DS
3
μ
PA2717GR
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
d
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
P
T
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounted on ceramic substrate of
1200 mm
2
x 2.2 mm
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
- 100
- 1000
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
- 100
I
D(pulse)
Power Dissipation Limited
I
D(DC)
PW = 100
μ
s
1 ms
DC
R
DS(on)
Limited
(at V
GS
= 10 V)
T
A
= 25°C
Single pulse
Mounted on ceramic substrate of
1200 mm
2
x 2.2 mm
10 ms
100 ms
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
°
C
0.1
1
10
100
1000
T
A
= 25°C, Single pulse
R
th(ch-A)1
: Mounted on ceramic substrate of 1200 mm
2
x 2.2 mm
R
th(ch-A)2
: Mounted on glass epoxy board of 1 inch x 1 inch x 0.8 mm
R
th(ch-A)2
R
th(ch-A)1
PW - Pulse Width - s
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA2718GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2719GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2727UT1A MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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