參數(shù)資料
型號(hào)： UPA2718GR
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： 開關(guān)的P -溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： UPA2718GR
Data Sheet G16952EJ1V0DS
6
μ
PA2718GR
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
I
A
-0.1
-1
-10
-100
E
AS
= 16.9 mJ
I
AS
=
13 A
V
DD
=
15 V
V
GS
=
20
→
0 V
R
G
= 25
Starting T
ch
= 25°C
L - Inductive Load - H
E
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
V
DD
=
15 V
R
G
= 25
V
GS
=
20
→
0 V
I
AS
≤
13 A
Starting T
ch
- Starting Channel Temperature - °C
10 m
100 m
1
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA2719GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2727UT1A MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
uPA2727UT1A-E1-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
uPA2727UT1A-E1-AZ MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
uPA2727UT1A-E2-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
UPA2719AGR-E1-AT 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2719AGR-E2-AT 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2719GR 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2719GR-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2720AGR-E1-AT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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