型號: | UPA807T-T1 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD |
中文描述: | 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管,內(nèi)置2個元素的超小型模具 |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大?。?/td> | 56K |
代理商: | UPA807T-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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UPA809 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
UPA809TF | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
UPA809TF-T1 | BJT |
UPA809T | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
UPA809T-T1 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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UPA807T-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
UPA808 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD |
UPA808T | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
UPA808T-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
UPA808TC | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |