參數(shù)資料
型號(hào)： UPA807T
廠商： NEC Corp.
英文描述： MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
中文描述： 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管，內(nèi)置2個(gè)元素的超小型模具
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： UPA807T
μ
PA807T
3
Collector Current I
C
(mA)
G
T
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
N
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current I
C
(mA)
I
2
|
2
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
F
r
FEED-BACK CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
f = 2 GHz
V
CE
= 2 V
15
10
5
1
2
3
5
7
10
20
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
10
5
0
1
2
3
5
7
10
20
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
3
2
1
1
2
3
5
7
10
f = 1 MHz
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V
CE
= 1 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA807T-T1 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
UPA809 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA809TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA809TF-T1 BJT
UPA809T MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA807T-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA807TT1 制造商:NEC/CEL 功能描述:New
UPA807T-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.01A 6-Pin SOT-363 T/R
UPA807T-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA808 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
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