參數(shù)資料
型號(hào)： UPA812TFB-T1
廠(chǎng)商： NEC Corp.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-363
中文描述： 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 10V的五（巴西）總裁| 65MA一（c）|的SOT - 363
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： UPA812TFB-T1
μ
PA812T
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
0.8
μ
A
Emitter Cutoff Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
0.8
μ
A
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
Note 1
70
240
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
4.5
7.0
GHz
Feed-back Capacitance
C
re
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Note 2
0.9
pF
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
10
12
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
1.4
2.7
dB
h
FE
Ratio
h
FE1
/h
FE2
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
A smaller value among
h
FE
of h
FE
1 = Q1, Q2
A larger value among
h
FE
of h
FE
2 = Q1, Q2
0.85
Notes 1.
Pulse Measurement: Pw
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2 %
2.
Measured with 3-pin bridge, emitter and case should be connected to guard pin of bridge.
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
GB
Marking
34R
35R
h
FE
Value
70 to 150
110 to 240
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
5
0
10
0.5
0.5
1.0
10
15
20
0
0.5
1.0
10
20
1
5
10
50
20
50
100
200
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
25
P
T
- T
A
Characteristics
100
0
50
100
150
200
T
T
(
Ambient Temperature T
A
(°C)
Free Air
2EemensinToa
PerEemen
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
I
C
- V
BE
Characteristics
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Collector Current I
C
(mA)
D
F
h
FE
- I
C
Characteristics
I
C
- V
CE
Characteristics
160 A
140 A
120 A
100 A
80 A
60
A
40
A
I
B
= 20
A
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA812T HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4227 SMALL MINI MOLD
UPA812TGB TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-363
UPA812TGB-T1 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-363
UPA812T-T1 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4227 SMALL MINI MOLD
UPA813 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD
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UPA812T-T1 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA812T-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA813 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD
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