參數(shù)資料
型號： UPA814TC-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅外延晶體管，配有2個2SC5195平引腳6引腳薄型超超級MINIMOLD
文件頁數(shù)： 13/20頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： UPA814TC-T1
μ
PA814TC
Data Sheet P14551EJ1V0DS00
13
V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
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0.8
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1.2
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1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
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0.418
0.419
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0.420
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–3.3
–12.1
–23.6
–33.2
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PDF描述
UPA822TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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UPA826TF NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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UPA814TKB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363
UPA814T-T1 功能描述:TRANS NPN HF FT=9GHZ SOT-363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
UPA814T-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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