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參數(shù)資料
| 型號： | UPD45128163G5-A10LI-9JF |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 82/86頁 |
| 文件大小： | 785K |
| 代理商： | UPD45128163G5-A10LI-9JF |
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D
8
μ
P
PRE (Precharge) Termination of Burst (2/2) (Burst Length = 8, /CAS Latency = 3)
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BA0
A10
ADD
LDQM
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T18
T19
T20
T21
L
Hi-Z
H
BA1
RAa
RAb
CAa
RAa
RAb
CAb
DAa1
DAa2
DAa3
QAb1
QAb2
QAb3
QAb4
Hi-Z
Activate
Command
for Bank A
Activate
Command
for Bank A
Write
Command
for Bank A
PRE Termination
of Burst
Precharge
Command
for Bank A
Precharge
Command
for Bank A
Activate
Command
for Bank A
Read
Command
for Bank A
PRE Termination
of Burst
t
RAS
DAa4
DAa5
Write
Masking
RAc
RAc
t
RCD
t
RP
t
DPL
t
RAS
UDQM
L
Hi-Z
DAa1
DAa2
DAa3
QAb1
QAb2
QAb3
QAb4
Hi-Z
DAa4
DAa5
DQ
(lower)
DQ
(upper)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4564841G5 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564163 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564163G5 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564441 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564841 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD45128163G5-A75-9JF | 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| UPD45128841G5-A75-9JF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 16M x 8, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4516161AG5A109NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD4516161AG5-A10-9NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4528BC | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
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