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參數(shù)資料
| 型號： | UPD4564841 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 6400位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 66/85頁 |
| 文件大小： | 919K |
| 代理商： | UPD4564841 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁當前第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁
D
6
μ
P
Interleaved Column Write Cycle (2/2) (Burst Length = 4, /CAS Latency = 3)
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
A13
A10
ADD
DQM
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T18
T19
T20
T21
L
Hi-Z
Aa1
Aa2
Aa3
Aa4
Ba1
Ba2
Bc1
Bc2
Bd1
Bd2
H
Ab1
Ab2
Bb1
Bb2
RAa
RBa
RAa
CAb
CBc
RBa
CBa
CBb
CAa
CBd
Bd3
Bd4
Activate
Command
for Bank A
Write
Command
for Bank A
Activate
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank A
Precharge
Command
for Bank A
Precharge
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
A12
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD485505 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
| UPD485505G-25 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
| UPD485505G-35 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
| UPD4990A | SERIAL I/O CALENDAR & CLOCK CMOS LSI |
| UPD4990AC | SERIAL I/O CALENDAR & CLOCK CMOS LSI |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD45D128442G5C759LG | 制造商:NEC 功能描述:* |
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| UPD4702C-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPD4702G-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| uPD4704C(A) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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