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參數(shù)資料
| 型號： | VBE60-06A |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Single Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED) |
| 中文描述： | 60 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | MINIBLOC-4 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | VBE60-06A |
2003 IXYS All rights reserved
2 -2
IXYS reserves the right to change limits, Conditions and dimensions.
3
VBE 60-06A
Advanced Technical Information
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
70
80
90
100
110
120
130
ns
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
μ
s
1000
0
5
10
15
20
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
s
0
10
20
30
40
50
A
100
1000
0
500
1000
1500
2000
2500
Q
r
3000
nC
0.0
0.5
1.0
1.5
V
F
2.0
V
0
10
20
30
40
50
60
70
A
I
RM
I
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
t
rr
t
fr
Z
thJC
A/
μ
s
μ
s
DSEP 2x31-06A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100°C
I
F
= 30A
Fig. 3 Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 1 Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
Q
r
I
RM
Fig. 4 Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 5 Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 6 Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
t
fr
V
FR
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
T
VJ
=25°C
T
VJ
=100°C
T
VJ
=150°C
NOTE: Fig. 2 to Fig. 6 shows typical values
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.436
0.482
0.117
0.115
t
i
(s)
0.0055
0.0092
0.0007
0.0418
1
2
3
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