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參數(shù)資料
| 型號： | VDI50-06P1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Modules in ECO-PAC 2 |
| 中文描述： | 42.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ECOPAC-10 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | VDI50-06P1 |
2003 IXYS All rights reserved
1 - 4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
VDI
50-06P1
VID
50-06P1
VII
50-06P1
VIO
50-06P1
B3
I
C25
V
CES
V
CE(sat) typ.
= 2.4 V
= 42.5 A
= 600 V
IGBTs
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
VJ
= 25°C to 150°C
600
V
V
GES
± 20
V
I
C25
I
C80
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
42.5
29
A
A
I
CM
V
CEK
V
= ±15 V; R
= 33
; T
= 125°C
RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 μH
60
V
CES
A
t
(SCSOA)
V
= V
; V
GE
= ±15 V; R
G
= 33
; T
VJ
= 125°C
non-repetitive
10
μs
P
tot
T
C
= 25°C
130
W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
CE(sat)
I
C
= 50 A; V
GE
= 15 V; T
VJ
= 25°C
2.4
2.9
2.9
V
V
T
VJ
= 125°C
V
GE(th)
I
C
= 0.7 mA; V
GE
= V
CE
4.5
6.5
V
I
CES
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
0.6
1.7
mA
mA
I
GES
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
100
nA
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
50
50
270
40
1.4
1.0
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
C
ies
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V; f = 1 MHz
16
nF
R
thJC
R
thJH
(per IGBT)
with heatsink compound (0.42 K/m.K; 50 μm)
0.96 K/W
1.92
K/W
Inductive load, T
= 125°C
V
CE
= 300 V; I
C
= 30 A
V
GE
= 15/0 V; R
G
= 33
IGBT Modules
in ECO-PAC 2
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
VDI
X15
X16
NTC
A
P
I
L9
T16
Preliminary data sheet
Pin arangement see outlines
VII
O
G
V
L9
E2
K10
X16
X13
X15
NTC
Features
NPT IGBT's
- positive temperature coefficient of
saturation voltage
- fast switching
FRED diodes
- fast reverse recovery
- low forward voltage
Industry Standard Package
- solderable pins for PCB mounting
- isolated DCB ceramic base plate
Advantages
space and weight savings
reduced protection circuits
leads with expansion bend for stress relief
Typical Applications
AC and DC motor control
AC servo and robot drives
power supplies
welding inverters
VID
I
S
A
L9
F1
X15
X16
NTC
VIO
J
L
A
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VDI50-12P1 | IGBT Modules |
| VDP3104B | Video Processor Family |
| VDP3108 | Single-Chip Video Processor |
| VDP3130Y | Video Processor Family |
| VDP31XXB | Video Processor Family |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VDI50-12P1 | 功能描述:MOD IGBT BUCK 1200V ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| VDI50-12S3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
| VDI75-06P1 | 功能描述:MOD IGBT BUCK 600V ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| VDI75-12P1 | 功能描述:MOD IGBT BUCK 1200V ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| VDI75-12S3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
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