參數(shù)資料
型號: VDI50-06P1
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT Modules in ECO-PAC 2
中文描述: 42.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ECOPAC-10
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大小: 155K
代理商: VDI50-06P1
2003 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
VDI
50-06P1
VID
50-06P1
VII
50-06P1
VIO
50-06P1
B3
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
times
versus collector current
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
Fig. 10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
times
versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
Fig. 12
Typ. transient thermal impedance
RBSOA
0
20
40
60
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
0
20
40
60
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
100
200
300
400
0,000010,0001 0,001
0,01
0,1
1
10
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
0
10
20
30
40
50
R
G
60
70
80
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
100
200
300
400
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
20
40
60
80
single pulse
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 33
T
VJ
= 125°C
VDI...50-06P1
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 30A
T
VJ
= 125°C
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
700
0
20
40
60
80
R
G
= 33
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 33
T
VJ
= 125°C
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
E
off
E
on
t
t
R
G
t
s
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
V
A
mJ
ns
ns
mJ
25T60
25T60
25T60
25T60
25T60
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 30 A
T
VJ
= 125°C
diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VDI50-12P1 IGBT Modules
VDP3104B Video Processor Family
VDP3108 Single-Chip Video Processor
VDP3130Y Video Processor Family
VDP31XXB Video Processor Family
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VDI50-12P1 功能描述:MOD IGBT BUCK 1200V ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VDI50-12S3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
VDI75-06P1 功能描述:MOD IGBT BUCK 600V ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VDI75-12P1 功能描述:MOD IGBT BUCK 1200V ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VDI75-12S3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C)