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參數(shù)資料
| 型號： | VG26VS17400DT-6 |
| 英文描述： | x4 Fast Page Mode DRAM |
| 中文描述： | x4快速頁面模式的DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 214K |
| 代理商： | VG26VS17400DT-6 |
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Document:1G5-0124
Rev.1
Page 9
VIS
VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics ; 3.3 - Volt Version (Cont.)
(T
a
= 0 to 70°C
,
V
CC
= +3.3V
%, V
SS
= 0V)
Notes:
1. I
CC
is specified as an average current. It depends on output loading condition and cycle rate when the
device is selected. I
CC
max is specified at the output open condition.
2. Address can be changed once or less while RAS = V
IL
.
3. For I
CC4
, address can be changed once or less within one EDO page mode cycle time.
Parameter
Symbol
I
LI
Test Conditions
VG26(V)(S) 17405
-5
Min
Max
-5
Unit
Notes
-6
Min
Max
Input leakage current
+ 0.3V
5
-5
5
Output leakage current
I
LO
+ 0.3V
Dout = Disable
I
OH
= -2mA
I
OL
= +2mA
-5
5
-5
5
Output high Voltage
V
OH
V
OL
2.4
-
2.4
-
V
Output low voltage
-
0.4
-
0.4
V
10
±
0V
Vin
V
CC
≤
≤
μ
A
0V
Vout
V
CC
≤
≤
μ
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG26VS17405DJ-6 | DRAM|EDO|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC |
| VG26S17400DJ-5 | DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC |
| VG2617400DJ-5 | DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC |
| VG26V17400DJ-6 | DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC |
| VG36641641DT-6 | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG26VS17400E | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM |
| VG26VS17400EJ-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| VG26VS17400EJ-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| VG26VS17400FJ | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM |
| VG26VS17405DJ-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM |
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