- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359377 > VG36641641DT (Electronic Theatre Controls, Inc.) CMOS Synchronous Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | VG36641641DT |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 68/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | VG36641641DT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁當前第68頁第69頁
Document :1G5-0177
Rev.2
Page 68
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Precharge Termination of a Burst (2 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
RAa
Activate
Command
Bank A
CAb
RAb
RAb
RAc
Precharge
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
High
RAa
RAc
CAa
DAa1
DAa0
QAb0
QAb1
QAb2
QAb3
tDPL
tRP
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
tRCD
tRP
Write Data
is masked
Precharge Termination
of a Write Burst.
Precharge Termination
of a Read Burst.
t
RAS
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle
*BS0
Burst Length=8, CAS Latency=3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36641641BT | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG509A | EPROM-Based 8-bit micro-controller |
| VGFX200K-SERIES | ASIC |
| VGFX20K-SERIES | ASIC |
| VGFX350K-SERIES | ASIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG36641641DT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-7L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641DTL-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。