參數(shù)資料
型號(hào)： VMO500-02F
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 500A I(D)
中文描述： 晶體管| MOSFET功率模塊|獨(dú)立| 200伏五（巴西）直| 500A（?。?/td>
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 155K
代理商： VMO500-02F
1999 IXYS All rights reserved
C3 - 20
C3
VMO 500-02F
Fig. 1 Typical output characteristics I
D = f (VDS)
Fig. 2 Typical transfer characteristics I
D = f (VGS)
0
1234
56
0
250
500
750
1000
1250
5 V
6 V
7 V
8 V
9 V
V
DS
I
D
A
V
A
I
D
02
46
8
0
250
500
750
1000
1250
V
DS = 30 V
V
GS
T
J = 125°C
T
J = 25°C
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
T
C
T
J
°C
A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
DSS
norm.
°C
V
GS(th)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
norm.
°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
R
DS(on)
T
J
V
GS = 15 V
V
DSS
V
GS = 10 V
A
I
D
norm.
R
DS(on)
I
D
V
GS = 10 V
V
GS(th)
I
D = 250 A
VMO500-02F
Fig. 5 Continuous drain current I
D = f (TC)
Fig. 6 V
DSS = f (TJ), VGS(th) = f (TJ), normalized
Fig. 3 Typical R
DS(on) = f (ID), normalized
Fig. 4 R
DS(on) = f (TJ), normalized
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VMO650-01F TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 690A I(D)
VMP-2R-1000B Analog IC
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參數(shù)描述
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VMO580-02F 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO60-05F 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO650-01F 功能描述:MOSFET 650 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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