參數(shù)資料
型號(hào)： VN0808L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
中文描述： N溝道80 -和90 - V（下局副局長）的MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： VN0808L
VN0808L/LS, VQ1006P
Vishay Siliconix
Document Number: 70214
S-04279
—
Rev.D, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-3
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
–
Drain Current (A)
T
J
–
Junction Temperature ( C)
1.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
6 V
5 V
4 V
3 V
2 V
V
GS
= 10 V
0.5
0.4
0.3
0
0
2
10
0.2
0.1
4
6
8
125 C
T
J
=
–
55 C
10
8
6
0
0
0.5
2.5
4
2
1.0
1.5
2.0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
80
60
40
20
0
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
2.0 V
1.8 V
V
GS
= 3 V
2.25
2.00
1.75
0.50
–
50
–
10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
7
0
4
8
12
16
20
6
5
4
0
3
2
1
0.5 A
1.0 A
25 C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 15 V
I
D
= 0.1 A
I
D
–
I
D
–
I
D
–
r
D
–
r
D
–
r
D
–
(
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN0808LS N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
VN0808M TRANSISTOR MOSFET TO 92 E LINE TO 237
VN0808 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓80V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
VN0808 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN0808L N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN0808L-G 功能描述:MOSFET 80V 4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN0808L-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN0808L-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN0808L-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN0808L-G P013 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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