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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VN1025SC |
| 元件分類： | 取樣保持放大器 |
| 英文描述： | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
| 中文描述： | 采樣/跟蹤和保持放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | VN1025SC |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN10KC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 310MA I(D) | SC-59 |
| VN10KCSM4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 170MA I(D) | LLCC |
| VN10KN9 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 310MA I(D) | TO-52 |
| VN10KT | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 310MA I(D) | TO-236AB |
| VN10KN3 | CAP 0.022UF 50V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.40 BULK S-MIL-PRF-20 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VN10K | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.17ATO-18 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.17A,TO-18 制造商:SEMELAB 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.17A,TO-18; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.4V ;RoHS Compliant: Yes |
| VN10KC | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| VN10KCSM4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 170MA I(D) | LLCC |
| VN10KC-T1 | 功能描述:MOSFET 60V 0.31A 0.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN10KE | 功能描述:MOSFET 60V 5 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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