型號: | VN10K |
廠商: | Supertex, Inc. |
英文描述: | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
中文描述: | N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管垂直的DMOS |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大小: | 42K |
代理商: | VN10K |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VN10KC | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管) |
VN10KLS | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
VN10KM | N-Channel Enhancement Mode |
VN10KM | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
VN10KN | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VN10KC | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
VN10KCSM4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 170MA I(D) | LLCC |
VN10KC-T1 | 功能描述:MOSFET 60V 0.31A 0.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VN10KE | 功能描述:MOSFET 60V 5 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VN10KE-2 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin TO-206AC 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.17A 3PIN TO-206AC - Bulk |