參數(shù)資料
型號： VN10K
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管垂直的DMOS（擊穿電壓60V的，?溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： VN10K
7-188
VN10K
Typical Performance Curves
Transconductance vs Gate-Source Voltage
G
I
D
(amperes)
G
F
(
Output Conductance vs Drain Current
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
R
D
(
B
D
(
T
j
(
°
C)
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
(
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
50
40
30
20
10
0
C
V
DS
(volts)
V
GS
(Volts)
BV
DSS
Variation with Temperature
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
0.9
100
10
1
100
10
0
2
4
V
GS
(volts)
6
8
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
250
200
150
100
50
0
1.0
0.1
0.01
0.01
0.1
1.0
V
DS
= 0.1V
1
REDUCTION
DUE TO
HEATING
VDS = 10V
300
μ
s, 2%
DUTY CYCLE
PULSE TEST
VDS = 25V
80
μ
s, 1%
DUTY CYCLE
PULSE TEST
V
DS
= 10V
3000
μ
s, 2%
DUTY CYCLE
PULSE TEST
C
ISS
C
OSS
C
RSS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN10LDA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
VN10LDB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
VN10LDC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
VN10LE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-52
ZVN2106D Transient Voltage Suppressor Diodes
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VN10KE 功能描述:MOSFET 60V 5 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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