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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VN10KLS |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V，夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | VN10KLS |
VN0610L, VN10KLS, VN2222L
Vishay Siliconix
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
11-4
Document Number: 70213
S-00200—Rev. E, 21-Feb-00
1
0.1
0.5
1.0
100
10
V
DD
= 15 V
R
L
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
–
I
C
–
V
t
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
10
1
0.01
0
0.25
1.75
0.1
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
100 C
25_C
–55 C
0 C
T
J
= 150 C
100
80
60
0
0
10
50
40
20
20
30
40
15.0
12.5
10.0
0
0
100
600
7.5
5.0
200
300
400
2.5
500
30 V
48 V
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1
100
10
1 K
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
I
D
= 0.5 A
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN10KM | N-Channel Enhancement Mode |
| VN10KM | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
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| VN10LDA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
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參數(shù)描述 |
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