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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VNB28N04 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET) |
| 中文描述： | 充分Autoprotected功率MOSFET（全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/13頁(yè) |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | VNB28N04 |
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ABSOLUTE MAXIMUMRATING
Symbol
Parameter
Value
Unit
PowerSO-10
D2PAK
ISOWATT220
V
DS
Drain-source Voltage (V
in
= 0)
Internally Clamped
V
V
in
Input Voltage
18
V
I
D
I
R
Drain Current
Internally Limited
A
Reverse DC Output Current
-28
A
V
esd
Electrostatic Discharge (C= 100 pF, R=1.5 K
)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
2000
V
P
tot
83
34
W
o
C
o
C
o
C
T
j
Operating Junction Temperature
Internally Limited
T
c
Case Operating Temperature
Internally Limited
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
THERMAL DATA
ISOWATT220
PowerSO-10
D2PAK
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3.75
62.5
1.5
50
1.5
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(-40 < T
j
< 125
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
Input-Source Reverse
Clamp Voltage
Zero Input Voltage
Drain Current (V
in
= 0)
I
D
= 200 mA
V
in
= 0
34
42
51
V
V
CLTH
I
D
= 2 mA
V
in
= 0
31
V
V
INCL
I
in
= -1 mA
-1.1
-0.1
V
I
DSS
V
DS
= 13 V
V
DS
= 25 V
V
in
= 0
V
in
= 0
100
200
μ
A
μ
A
μ
A
I
ISS
Supply Current from
Input Pin
V
DS
= 0 V
V
in
= 10 V
250
600
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
IN(th)
Input Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
in
I
D
+ Ii
n
= 1 mA
0.8
3
V
R
DS(on)
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
-40 < T
j
< 25
o
C
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
T
j
= 125
o
C
I
D
= 14 A
I
D
= 14 A
I
D
= 14 A
I
D
= 14 A
0.035
0.05
0.07
0.1
VNP28N04FI-VNB28N04-VNV28N04
2/13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNB49N04 | “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| VNB49N0413TR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | TO-263AB |
| VNV49N0413TR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | SO |
| VND05B012Y | Dual Peripheral Driver |
| VND05B011Y | Dual Peripheral Driver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VNB28N0413TR | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNB28N04-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNB28N04TR-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNB2XWDC-BPWXX-1-XAS1 | 制造商:Carling Technologies 功能描述:V-SERIES ROCKER SWITCH - Bulk |
| VNB2XWT1-1ALDH-XPB1 | 制造商:Carling Technologies 功能描述:V-SERIES ROCKER SWITCH - Bulk |
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