參數(shù)資料
型號: VNB49N04
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述: “OMNIFET”:充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù): 4/14頁
文件大?。?/td> 133K
代理商: VNB49N04
4/14
VNP49N04FI / VNB49N04 / VNV49N04
SOURCE DRAIN DIODE
PROTECTIONS
(*) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(**) Parameters guaranteed by design/characterization
Symbol
V
SD
(*)
t
rr
(**)
Q
rr
(**)
I
RRM
(**)
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
1.8
Unit
V
ns
nC
A
Forward On Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
=25A; V
IN
=0V
I
SD
=25A; di/dt=100A/
μ
s
V
DS
=30V; T
j
=25
°
C
(see test circuit, figure 5)
250
910
7.5
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
28
28
Typ
49
49
35
90
Max
70
70
50
150
Unit
A
A
μ
s
μ
s
I
LIM
Drain Current Limit
V
IN
=10V; V
DS
=13V
V
IN
=5V; V
DS
=13V
V
IN
=10V
V
IN
=5V
t
dlim
(**)
Step Response Current
Limit
Overtemperature
Shutdown
Overtemperature Reset
T
jsh
(**)
150
°
C
T
jrs
(**)
135
°
C
mA
mA
I
gf
(**)
Fault Sink Current
V
IN
=10V; V
DS
=13V
V
IN
=5V; V
DS
=13V
Starting T
j
=25
°
C; V
DS
=20V
V
IN
=10V; R
gen
=1K
;
L=6mH
50
20
E
as
(**)
Single Pulse
Avalanche Energy
4
J
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNB49N0413TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | TO-263AB
VNV49N0413TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | SO
VND05B012Y Dual Peripheral Driver
VND05B011Y Dual Peripheral Driver
VND05BSP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNB49N04 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET SMART SWITCH D2-PAK
VNB49N0413TR 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時(shí)間(最大值):400 us 關(guān)閉時(shí)間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNB49N04-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 49A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時(shí)間(最大值):400 us 關(guān)閉時(shí)間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNB49N04TR-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時(shí)間(最大值):400 us 關(guān)閉時(shí)間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNB601BS-N40A 制造商:SMC Corporation of America 功能描述:PROCESS VALVE, 1-1/2INCH NPT