參數(shù)資料
型號： VND1NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/18頁
文件大小： 392K
代理商： VND1NV04
2/18
VND1NV04 / VNN1NV04 / VNS1NV04
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
CONNECTION DIAGRAM (TOP VIEW)
Symbol
Parameter
Value
SO-8
Unit
SOT-223
DPAK
V
DS
V
IN
I
IN
R
IN MIN
I
D
I
R
V
ESD1
Drain-source Voltage (V
IN
=0V)
Input Voltage
Input Current
Minimum Input Series Impedance
Drain Current
Reverse DC Output Current
Electrostatic Discharge (R=1.5K
, C=100pF)
Electrostatic Discharge on output pin only
(R=330
, C=150pF)
Total Dissipation at T
c
=25°C
Operating Junction Temperature
Case Operating Temperature
Storage Temperature
Internally Clamped
Internally Clamped
+/-20
330
Internally Limited
-3
4000
V
V
mA
A
A
V
V
ESD2
16500
V
P
tot
T
j
T
c
T
stg
7
8.3
35
W
°C
°C
°C
Internally limited
Internally limited
-55 to 150
DRAIN
INPUT
SOURCE
I
D
I
IN
V
IN
V
DS
R
IN
CURRENT AND VOLTAGE CONVENTIONS
(*) For the pins configuration related to SOT-223 and DPAK see outline at page 1.
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
INPUT
SOURCE
SOURCE
SOURCE
1
4
5
SO-8 Package (*)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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VND1NV04-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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