參數(shù)資料
型號： VND1NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/18頁
文件大?。?/td> 392K
代理商： VND1NV04
8/18
VND1NV04 / VNN1NV04 / VNS1NV04
1
Source-Drain Diode Forward Characteristics
Derating Curve
Static Drain Source On Resistance
Static Drain-Source On resistance Vs. Input
Voltage
Transconductance
Static Drain-Source On resistance Vs. Input
Voltage
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
Id(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Gfs (S)
Vds=13V
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
Vin(V)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Rds(on) (mohms)
Id=0.5A
Tj=150oC
Tj=-40oC
Tj=25oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin(V)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Rds(on) (mohms)
Id=1.5A
Id=1A
Id=1.5A
Id=1A
Id=1.5A
Id=1A
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
0
2
4
6
8
10
12
14
Id (A)
700
750
800
850
900
950
1000
Vsd (mV)
Vin=0V
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
Id(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Rds(on) (ohms)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Vin=2.5V
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PDF描述
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