參數(shù)資料
型號(hào)： VND5N07-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： ？OMNIFET？：完全AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/15頁
文件大小： 367K
代理商： VND5N07-1
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VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
Figure 3. Thermal Impedance for DPAK/IPAK
Figure 4. Thermal Impedance for ISOWATT220
Figure 5. Derating Curve
Figure 6. Output Characteristics
Figure 7. Transconductance
Figure 8. Static Drain-source On Resistance vs
Input Voltage
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PDF描述
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參數(shù)描述
VND5N0713TR 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND5N0713TR-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
VND5N07-1-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND5N07-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND5N07FI 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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