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參數(shù)資料
| 型號： | VP0610L |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-60V，夾斷電流-0.18A的P溝道增強型MOSFET晶體管) |
| 中文描述： | P通道增強型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓- 60V的，夾斷電流，0.18A的P溝道增強型MOSFET的晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | VP0610L |
TP0610L/T, VP0610L/T, BS250
Siliconix
Vishay Siliconix, 2201 Laurelwood Road, Santa Clara, CA 95054
S-52426—Rev. E, 14-Apr-97 Siliconix was formerly a division of TEMIC Semiconductors
Phone (408)988-8000
FaxBack (408)970-5600
www.siliconix.com
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V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
–
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V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
– Drain Current (A)
T
J
– Junction Temperature ( C)
r
(
–500
0
–1
–2
–3
–4
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–400
–300
–200
–100
0
–8 V
–7 V
–6 V
–4 V
–3 V
–5 V
V
GS
= –10 V
–100
–80
–60
0
0
–1
–5
–40
–20
–2
–3
–4
T
C
= –55 C
125 C
25 C
V
DS
= –15 V
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–8
–6
–4
–2
0
–2.6 V
–2.4 V
–2.2 V
–2.0 V
–1.8 V
V
GS
= –3.0, –2.8 V
0
–4
–8
–12
–16
–20
17.5
15.0
12.5
2.5
10.0
7.5
5.0
–0.5 A
T
J
= 25 C
I
D
= –25 mA
–0.2 A
25
20
15
0
0
–0.15
–0.75
10
5
–0.30
–0.45
–0.60
V
GS
= –10 V
2.25
2.00
1.75
0.50
–50
–10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
V
GS
= –10 V
I
D
= –0.5 A
r
)
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| VP0645 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VP0645N2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | TO-39 |
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