參數(shù)資料
型號： VQ3001J
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel/P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor Array(最小漏源擊穿電壓±30V的N/P溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管陣列)
中文描述： N-Channel/P-Channel增強(qiáng)型MOSFET晶體管陣列（最小漏源擊穿電壓± 30V的的N / P系列溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管陣列）
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代理商： VQ3001J
VQ3001J/3001P
6
Siliconix
S-52426—Rev. C, 14-Apr-97
Typical Characteristics (25 C Unless Noted)
P-Channel
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= –0.5 A
–0.2 A
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
Threshold Region
–10 K
–1 K
–1
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= –10 V
25 C
–55 C
100 C
T
J
= 150 C
–100
–10
–
I
D
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VQ3001J PTH12020WASSMD_15
VQ3001N6 TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | DIP
VQ7254N6 TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 20V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP
VQ3001 N- and P-Channel Quad Power MOSFET Arrays
VQ7254 N-and P-Channel Enhancement -Mode MOS Transistor Arrays
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參數(shù)描述
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VQ3001P-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A/0.6A 14-Pin SBCDIP T/R
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