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參數(shù)資料
| 型號： | W25Q80BLSSIP |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 5.28 MM, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 10/75頁 |
| 文件大小： | 2267K |
| 代理商： | W25Q80BLSSIP |
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W25Q80BL
- 18 -
9.2.2
Instruction Set Table 1 (Erase, Program Instructions)(1)
INSTRUCTION NAME
BYTE 1
(CODE)
BYTE 2
BYTE 3
BYTE 4
BYTE 5
BYTE 6
Write Enable
06h
Write Enable for
Volatile Status Register
50h
Write Disable
04h
Read Status Register-1
05h
(S7–S0)
(2)
Read Status Register-2
35h
(S15–S8)
(2)
Write Status Register
01h
S7–S0
S15-S8
Page Program
02h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
D7–D0
Quad Page Program
32h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
D7–D0, …
(3)
Sector Erase (4KB)
20h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Block Erase (32KB)
52h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Block Erase (64KB)
D8h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Chip Erase
C7h/60h
Erase / Program Suspend
75h
Erase / Program Resume
7Ah
Power-down
B9h
Continuous Read Mode
Reset
(4)
FFh
FFh
Notes:
1.
Data bytes are shifted with Most Significant Bit first. Byte fields with data in parenthesis “()” indicate data being
read from the device on the DO pin.
2.
The Status Register contents will repeat continuously until /CS terminates the instruction.
3.
Quad Page Program Input Data:
IO0 = D4, D0, ……
IO1 = D5, D1, ……
IO2 = D6, D2, ……
IO3 = D7, D3, ……
4.
This instruction is recommended when using the Dual or Quad “Continuous Read Mode” feature. See section
9.2.19 & 9.2.20 for more information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WMS128K8L-100DEME | 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32 |
| WF1M32C-100G4TI | 4M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 100 ns, CQMA68 |
| WF1M32C-150G4TC | 4M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 150 ns, CQMA68 |
| W24010AK-15I | 128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDIP32 |
| WS512K32-15G4TI | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 15 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q80BLSVIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8MB SERIAL FLASH MEMORY |
| W25Q80BLZPIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:FLASH |
| W25Q80BLZPIGTR | 功能描述:IC MEM FLASH 8M SPI 8-WSON RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q80BLZPIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.5V 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BV | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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