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參數(shù)資料
| 型號： | W49F002UP90BN |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 9/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | W49F002UP90BN |
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W49F002U
Publication Release Date: April 19, 2005
- 17 -
Revision A7
8.3 Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
TPU. READ
100
S
Power-up to Write Operation
TPU. WRITE
5
mS
9. CAPACITANCE
(VDD = 5.0V, TA = 25
° C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX.
UNIT
I/O Pin Capacitance
CI/O
VI/O = 0V
12
pF
Input Capacitance
CIN
VIN = 0V
6
pF
10. AC CHARACTERISTICS
10.1 AC Test Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
0V to 3V
Input Rise/Fall Time
<5 nS
Input/Output Timing Level
1.5V / 1.5V
Output Load
1 TTL Gate and CL = 30pF (for 70 nS/ 90 nS), 100 pF (for 120 nS)
10.2 AC Test Load and Waveform
+5V
1.8K
1.3K
DOUT
30 pF for 70nS / 90nS
(Including Jig and Scope)
Input
3V
0V
Test Point
1.5V
Output
100 pF for 120nS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9412FASA-75 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| W9425G6EH-6 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W9425G6EH-4 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W9864G6GB-6I | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| WE256K32-250G2TMEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W49F002UT12B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F002UT70B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F002UT90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020-70 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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