- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361789 > W5NK100Z (意法半導(dǎo)體) N-channel 1000V - 2.7з - 3.5A - TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W5NK100Z |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-channel 1000V - 2.7з - 3.5A - TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET |
| 中文描述： | N溝道1000V - 2.7з - 3.5A的- TO-220/TO-220FP/TO-247齊保護SuperMESH⑩功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 416K |
| 代理商： | W5NK100Z |
Electrical characteristics
STP5NK100Z - STF5NK100Z - STW5NK100Z
6/16
Table 7.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ.
Max
Unit
I
SD
Source-drain current
3.5
A
I
SDM(1)
V
SD(2)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Source-drain current (pulsed)
14
A
2.
Pulsed: pulse duration=300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
= 3.5 A, V
GS
=0
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 3.5 A,
di/dt = 100A/μs,
V
DD
=30 V
(see
Figure 22
)
605
3.09
10.5
ns
μC
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 3.5 A,
di/dt = 100A/μs,
V
DD
=35 V, Tj=150°C
(see
Figure 22
)
742
4.2
11.2
ns
μC
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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