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參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6416V1612BC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 14/27頁 |
| 文件大小： | 370K |
| 代理商： | WED9LC6416V1612BC |
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21
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6416V
January 20001
FIG. 12 SDRAM READ & WRITE CYCLE WITH AUTO PRECHARGE @ BURST LENGTH = 4
Cb
Ca
Rb
Ra
CL = 2
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Ra
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Qa1
Qa0
Qa2
DON’T CARE
Rb
CL = 3
DQ
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Qa1
Qa0
Qa2
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
SDWE
NOTES:
1. tCDL should be controlled to meet minimum tRAS before internal precharge start.
(In the case of Burst Length = 1 & 2 and BRSW mode)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WMS512K8-100DEIEA | 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32 |
| WMS512K8-70DEME | 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDSO32 |
| WSF512K32-29G2TI | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CQFP68 |
| WF2M32B-150G2UI5A | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQFP68 |
| W7NCF01GH11CS6DG | 64M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6416V1612BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V2010BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V2010BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V2012BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V2012BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
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