參數(shù)資料
型號(hào): XCV100E-8CS144C
廠商: Xilinx Inc
文件頁數(shù): 177/233頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA 1.8V C-TEMP 144-CSBGA
產(chǎn)品變化通告: FPGA Family Discontinuation 18/Apr/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 198
系列: Virtex®-E
LAB/CLB數(shù): 600
邏輯元件/單元數(shù): 2700
RAM 位總計(jì): 81920
輸入/輸出數(shù): 94
門數(shù): 128236
電源電壓: 1.71 V ~ 1.89 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 85°C
封裝/外殼: 144-TFBGA,CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 144-LCSBGA(12x12)
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁當(dāng)前第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁
Virtex-E 1.8 V Field Programmable Gate Arrays
R
Module 2 of 4
DS022-2 (v3.0) March 21, 2014
42
Production Product Specification
— OBSOLETE — OBSOLETE — OBSOLETE — OBSOLETE —
HSTL
A sample circuit illustrating a valid termination technique for
HSTL_I appears in Figure 46. A sample circuit illustrating a
valid termination technique for HSTL_III appears in
A sample circuit illustrating a valid termination technique for
HSTL_IV appears in Figure 48.
SSTL3_I
A sample circuit illustrating a valid termination technique for
SSTL3_I appears in Figure 49. DC voltage specifications
Table 25: HSTL Class I Voltage Specification
Parameter
Min
Typ
Max
VCCO
1.40
1.50
1.60
VREF
0.68
0.75
0.90
VTT
-VCCO × 0.5
-
VIH
VREF + 0.1
-
VIL
--
VREF – 0.1
VOH
VCCO – 0.4
-
VOL
0.4
IOH at VOH (mA)
8-
-
IOLat VOL (mA)
8
-
Figure 46: Terminated HSTL Class I
Table 26: HSTL Class III Voltage Specification
Parameter
Min
Typ
Max
VCCO
1.40
1.50
1.60
VREF (1)
-0.90
-
VTT
-VCCO
-
VIH
VREF + 0.1
-
VIL
--
VREF – 0.1
VOH
VCCO – 0.4
-
VOL
--
0.4
IOH at VOH (mA)
8-
-
IOLat VOL (mA)
24
-
Note: Per EIA/JESD8-6, “The value of VREF is to be selected
by the user to provide optimum noise margin in the use
conditions specified by the user.”
VREF = 0.75V
VTT= 0.75V
50
Ω
VCCO = 1.5V
Z = 50
HSTL Class I
x133_10_111699
Figure 47: Terminated HSTL Class III
Table 27: HSTL Class IV Voltage Specification
Parameter
Min
Typ
Max
VCCO
1.40
1.50
1.60
VREF
-0.90
-
VTT
-VCCO
-
VIH
VREF + 0.1
-
VIL
--
VREF – 0.1
VOH
VCCO – 0.4
-
VOL
--
0.4
IOH at VOH (mA)
8-
-
IOLat VOL (mA)
48
-
Note: Per EIA/JESD8-6, “The value of VREF is to be selected
by the user to provide optimum noise margin in the use
conditions specified by the user.
Figure 48: Terminated HSTL Class IV
VREF = 0.9V
VTT= 1.5V
50
Ω
VCCO = 1.5V
Z = 50
HSTL Class III
x133_11_111699
50
Ω
Z = 50
HSTL Class IV
x133_12_111699
50
Ω
VREF = 0.9V
VTT= 1.5V
VCCO = 1.5V
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