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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN04683(XN4683) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | XN04683(XN4683) |
XN04601
3
SJJ00083BED
Characteristics charts of Tr1
I
C
V
CE
I
C
I
B
I
B
V
BE
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
NV
I
C
0
0
10
2
4
8
6
60
50
40
30
20
10
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
0
0
1
000
800
600
400
200
Base current I
B
(
μ
A)
240
200
160
120
80
40
C
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
200
1
000
800
600
400
200
Base-emitter voltage V
BE
(V)
B
B
μ
A
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
10
1
600
500
400
300
200
100
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
10
2
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
10
1
300
240
180
120
60
T
T
Emitter current I
E
(mA)
1
10
10
2
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
240
200
160
120
80
40
N
Collector current I
C
(
μ
A)
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
G
V
=
80 dB
Function
=
FLAT
T
a
=
25
°
C
4.7 k
R
g
=
100 k
22 k
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN05501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN5501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN05531 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN5531 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN05553 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN04A88 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XN04A8800L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI-6 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000784046 |
| XN05501 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification |
| XN05501(XN5501) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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