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參數(shù)資料
| 型號： | XN04683(XN4683) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | XN04683(XN4683) |
XN04601
4
SJJ00083BED
Characteristics charts of Tr2
I
C
V
CE
I
C
I
B
I
B
V
BE
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
NF
I
E
0
0
4
8
12
16
60
50
40
30
20
10
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
0
0
100
Base current I
B
(
μ
A)
200
300
400
60
50
40
30
20
10
C
C
V
CE
=
5 V
T
a
= 25
°
C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
400
350
300
250
200
150
100
50
Base-emitter voltage V
BE
(V)
B
B
μ
A
V
CE
=
–5 V
T
a
=
25
°
C
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=
5 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
10
3
1
10
2
10
1
1
10
10
10
2
10
3
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
600
500
400
300
200
100
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
10
1
40
80
120
160
140
100
60
20
T
T
Emitter current I
E
(mA)
1
10
10
2
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
8
7
6
5
4
3
2
1
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0
10
2
6
5
4
3
2
1
N
Emitter current I
E
(mA)
10
1
1
10
V
CB
=
5 V
f
=
1 kHz
R
g
=
2 k
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN05501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN5501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN05531 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN5531 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN05553 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN04A88 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XN04A8800L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046 |
| XN05501 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification |
| XN05501(XN5501) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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