參數(shù)資料
型號: XP08081(XP8081)
英文描述: 複合デバイス - 複合トランジスタ
中文描述: 複合デバイス-複合トランジスタ
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 110K
代理商: XP08081(XP8081)
XP08081
3
SJJ00218BED
Characteristics charts of Tr1
P
T
T
a
I
D
V
DS
I
D
V
GS
Y
fs
V
GS
Y
fs
I
D
C
iss
, C
rss
, C
oss
V
DS
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
40
80
120
160
0
50
100
150
200
250
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
0
1
2
3
4
5
6
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
=
0 V
0.1 V
0.2 V
0.3 V
0.4 V
T
a
=
25
°
C
Gate-source voltage V
GS
(V)
D
D
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
F
Y
f
Gate-source voltage V
GS
(V)
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
50
100
150
200
250
I
DSS
=
10 mA
V
DS
=
10 V
T
a
=
25
°
C
F
Y
f
Drain current I
D
(mA)
0
2
4
6
8
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
DSS
=
10 mA
V
DS
=
10 V
T
a
=
25
°
C
V
GS
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
0
1
4
2
6
8
10
10
100
Drain-source voltage V
DS
(V)
S
i
R
C
r
S
o
C
iss
C
oss
C
rss
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PDF描述
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參數(shù)描述
XP0B30100L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-5P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
XP0C301 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Amplification
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